1.光刻技术所需的光源可以使用可见光，近紫外（NUV），中紫外（MUV），深紫外（DUV），真空光源（Vucuum UV，VUV），极紫外（EUV），X - 射线（X射线）等也可用于照射抗蚀剂;也可以使用高能电子束（25 100 keV），低能电子。
光束（100eV），镓离子（Ga +）聚焦离子束（10 100keV）照射抗蚀剂。
2.光刻技术所需的线的宽度随着半导体集成电路的集成电平的快速增加而增加。
制造64兆字节（64兆位）动态随机存取存储器（DRAM）的设计规则具有约0.35微米的最小线宽; 2.56亿比特约为0.25微米;和10亿位（1千兆位大约0.18微米; 4千兆位大约0.15 0.13微米。
最常见的光刻技术是抗反射薄膜和高反射薄膜。
防反射薄膜旨在提高生产率和消除高反射膜是针对光束的操纵而设计的，但目前，世界上紫外区域的涂层技术仅限于对氟化物的认识，目前还不成熟，技术尚不成熟。
对于大规模生产没有实现。
对于吸收等光学性能，还有很大的提升空间，限制了光学元件的有效性。
考虑到光学元件的寿命和耐用性，现有技术面临着巨大的挑战。
光学薄膜变得越来越重要，现有技术逐渐无法满足当前行业的需求，因此新型涂层的研发gs方法势在必行。
光刻技术的发展日新月异。
虽然新机器，新材料和新工艺不断涌现，但光刻技术的改进面临着越来越严峻的挑战，以应对未来对电子元件日益增长的需求。
有必要不断提高分辨率以使特征尺寸更小，即每单位面积具有更高的密度以容纳更多的晶体管。
光刻技术决定了元件的质量，产量和成本。
光刻技术对半导体工艺具有关键影响。
在可预见的未来，满足摩尔定理的可能性将变得更小。
国内光刻工艺开发商在这方面很有前景。
广义光刻技术包括一些后续工艺，例如离子注入，金属蒸发和等离子体蚀刻。
它主要是指一定波长的紫外光透过掩模然后照射到硅晶片上，掩模上的电路图像完全复制到硅晶片上形成所需电路图案的过程。
掩模实际上可以看作是微型“电影”。
CPU核心电路。
制造商首先将具有非常复杂的设计模型的原始图像缩小为非常精细的蚀刻掩模。
未曝光的光致抗蚀剂通过化学处理和烘烤硬化，从而保护阴影下区域的化学蚀刻。
