类型:开关类型;极性:NPN;材质:硅;最大集电极电流(A):0.5 A;直流电源增益:10到60;功耗:625 mW;最大集电极 - 发射极电压(VCEO):25特征频率:150 MHz PE8050硅NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050硅NPN 25V 1.5A FT = 190 * K 2SC8050硅NPN 25V 1.5A FT = 190 * K MC8050硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050硅NPN 25V 1.5A FT = 190 * K
三极管引脚识别方法:(a)确定基极。使用万用表R×100或R×1k块测量管的三个电极中的每一个之间的正电阻值和负电阻值。
当第一笔连接到一个电极并且第二笔接触另外两个电极以测量低电阻值时,连接到第一测试笔的电极是基座b。此时,如果红笔连接到基座b,请注意万用表笔的极性。
当黑色测试笔连接到另外两个极点时,测得的电阻值很小,则待测试的管子可以确定为PNP型三极管;如果黑色测量笔连接到基座b并且红色测试笔分别接触另外两个电极,则测量如果电阻小,则测量的三极管是NPN型管,例如8050,9014,9018。(b)确定集电极集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)。当万用表放置在R×100或R×1K块中时,使用红色测试笔收集器c,并且使用黑色测试笔接触另外两个引脚,测量的两个电阻值将为1。
更大,更小一些。在第一次测量电阻小的情况下,连接黑色测试笔的引脚是基座;在第一次测量具有大电阻时,连接到黑色测试笔的引脚是发射器。
不拆卸三极管判断其好坏的方法:在实际应用中,小功率三极管直接焊接在印刷电路板上。由于部件的安装密度高,拆卸很麻烦,因此直流电压经常用于万用表的检测。
测量被测管道每个引脚的电压值,判断工作是否正常,然后判断三极管的质量。如果它像8050,9014,NPN使用万用表检测其针脚,黑色笔连接到一个杆,另外两个杆用红笔连接。
当两极都有5K电阻时,黑色笔连接到B极。此时,黑色和红色两个笔分别连接到另外两个极,黑色笔连接到极和B极,黑色表指示电阻值小,连接到C极。
(以上是用指针表测量的。数字表是红笔数字万用表内的正负电平,与指针表相反。
)。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 展频晶体振荡器(SSXO)与低Rds(on) MOS管在0.5A电源管理中的协同应用解析 展频晶体振荡器(SSXO)与低Rds(on) MOS管在0.5A电源管理中的协同应用解析在现代电子系统中,尤其是对电磁兼容性(EMC)要求严苛的消费类电子产品、物联网设备和嵌入式系统中,展频晶体振荡器(SSXO)与低导通电阻(Rds(on))MOS管的...
- 如何选择合适的可编程晶体振荡器与0.5A低Rds(on) MOS管进行电路设计 关键参数对比与选型指南在设计高可靠性电子系统时,正确选择可编程晶体振荡器(XO)与0.5A低Rds(on) MOS管至关重要。以下从性能指标、应用场景和设计注意事项三方面展开分析。1. 可编程晶体振荡器选型要点频率范围与稳定性:...
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 电阻丝功率计算中乘以0.8的考量 在进行电阻丝功率计算时,将计算结果乘以0.8主要是出于实际应用中的效率损失考虑。电阻丝加热元件在实际工作过程中,由于材料特性、散热条件以及供电电压波动等因素的影响,其实际发热效果往往无法达到理论值。乘以0.8...
- 突崩晶体管与普通晶体管的核心区别解析 突崩晶体管与普通晶体管的核心区别解析在现代电子电路设计中,晶体管作为核心的半导体器件,其种类繁多,性能各异。其中,突崩晶体管(也称雪崩晶体管)与普通晶体管在工作原理、应用场景和电气特性上存在显著差异。...
- 达林顿晶体管与普通晶体管性能对比及实际应用指南 达林顿晶体管与普通晶体管性能对比及实际应用指南达林顿晶体管(Darlington Transistor)是一种由两个晶体管级联构成的复合结构,常用于需要极高电流增益的应用中。与普通晶体管相比,它在电流放大能力、驱动能力和输入阻抗...
- 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
- 突崩晶体管与普通晶体管对比:从结构到性能的全面解析 引言:为什么需要关注突崩晶体管?在现代电子系统中,晶体管作为最基本的构建单元,其性能直接影响整个系统的效率与稳定性。传统晶体管(如双极型晶体管BJT、金属氧化物半导体场效应管MOSFET)已广泛应用于消费电子、工...
- 达灵顿晶体管与普通晶体管性能对比:全面解析其应用优势 达灵顿晶体管与普通晶体管性能对比:全面解析其应用优势在现代电子电路设计中,晶体管作为核心的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、信号驱动、电机控制等领域。其中,达灵顿晶体管(Darlington Transistor)与普通晶体管...
- 从基础到进阶:深入理解双极晶体管与高压晶体管的设计要点 双极晶体管设计的关键参数解析在设计基于双极晶体管的电路时,必须关注多个关键电气参数,以确保系统稳定性和可靠性。核心参数说明电流增益(β或hFE):反映基极电流对集电极电流的控制能力,理想值应大于100,但受温度...
- 达林顿晶体管与普通晶体管选型指南:如何正确匹配电路需求? 达林顿晶体管与普通晶体管选型指南:如何正确匹配电路需求?在电子工程实践中,正确选择晶体管类型是确保电路稳定性和效率的关键。面对达林顿晶体管与普通晶体管之间的选择,工程师常面临困惑。本篇文章将从实际应用...
- 深入对比:光电晶体管与普通晶体管的性能差异与选型建议 深入对比:光电晶体管与普通晶体管的性能差异与选型建议在电子系统设计中,正确选择晶体管类型至关重要。光电晶体管与普通晶体管虽然同属半导体三极管范畴,但在结构、功能和应用场景上存在显著差异。以下从多个维度...
- 突崩晶体管原理与应用:突破传统晶体管性能瓶颈的新技术 突崩晶体管的基本原理突崩晶体管(也称雪崩晶体管或Avalanche Transistor)是一种基于雪崩击穿效应工作的半导体器件,其核心工作原理是利用高反向电压下产生的雪崩击穿现象来实现电流的快速放大。与普通晶体管依赖基极电流控...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- LED驱动器晶体管选型与双极晶体管驱动设计详解 LED驱动器晶体管选型与双极晶体管驱动设计详解在现代电子系统中,LED作为高效、低功耗的光源被广泛应用。为了实现对LED的稳定驱动,选择合适的驱动晶体管至关重要。其中,双极结型晶体管(BJT)因其成本低、控制简单等优...
- 0.5A低Rds(on) MOS管如何优化电源管理系统性能 低Rds(on) MOS管在电源管理中的关键价值随着电子产品对能效要求日益提高,0.5A低导通电阻(Rds(on))MOS管已成为高性能电源管理模块的核心元件。其核心优势在于显著降低导通损耗,从而提升整体系统效率。1. Rds(on)参数详解Rds(on)...
- 继电驱动器晶体管与LED驱动器晶体管的原理及应用对比分析 继电驱动器晶体管与LED驱动器晶体管的核心区别在现代电子系统中,晶体管作为关键的开关元件,广泛应用于继电驱动和LED驱动场景。尽管两者都依赖于晶体管的导通与截止特性,但其工作环境、负载类型和驱动要求存在显著差...
- 同步控制器晶体管与PWM控制LED驱动晶体管的协同工作原理解析 同步控制器晶体管与PWM控制LED驱动晶体管的核心作用在现代高效电源管理与LED照明系统中,同步控制器晶体管和PWM控制LED驱动晶体管扮演着至关重要的角色。它们共同协作,实现高效率、低功耗且稳定的光输出控制。1. 同步控制...
- 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...